一般情況下，純正的金剛砂的主要材質(zhì)是csi，csi是原子晶體；原子晶體都是不導電的。但是如果碳、硅的成分比例恰當就可以成為半導體。這種半導體如硅、鍺等不同，是一種特殊的半導體材料，即使溫度高達一千度也仍然具有半導體的性能。

csi原子晶體是半導體，具有良好的非線(xiàn)性導電特性，其電阻會(huì )隨電場(chǎng)的增加而降低。金剛砂導電性能在不同的溫度下是不同的，在一定溫度范圍內與金屬的電阻溫度特性相反。高純度碳化硅的電阻率隨溫度變化的情況。工業(yè)碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復雜。溫度較低時(shí)溫度上升電阻下降，約在1500℃時(shí)電阻開(kāi)始逐漸增大，2600℃時(shí)接近常溫下的電阻，之后隨溫度升高電阻又趨于增大。碳化硅的這種導電性能對于冶煉工藝有相當的影響。

常溫下，金剛砂是一種半導體，導電性能在導體和絕緣體之間，電阻率在102~1012Ω·cm范圍內，并隨晶體中引入雜質(zhì)的種類(lèi)和數量的不同而變化。對碳化硅導電性能影響***大的雜質(zhì)是鋁、氮和硼。含鋁較多的碳化硅導電性能顯著(zhù)增大

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